ແກ້ໄຂບັນຫາຂອງຕົວເຊື່ອມຕໍ່ສາຍເຄເບີ້ນທີ່ໃຊ້ຢູ່

ແກ້ໄຂບັນຫາຂອງຕົວເຊື່ອມຕໍ່ສາຍໃນ​ການ​ນໍາ​ໃຊ້​
1. ການປິ່ນປົວໄສ້ semiconductor ພາຍໃນ
ບ່ອນທີ່ຮ່າງກາຍຂອງສາຍເຄເບີ້ນມີຊັ້ນໄສ້ພາຍໃນ, ຊັ້ນໄສ້ດ້ານໃນຂອງສ່ວນ conductor ຂອງທໍ່ crimping ຕ້ອງໄດ້ຮັບການຟື້ນຟູໃນເວລາທີ່ການຮ່ວມກັນ, ແລະສ່ວນຫນຶ່ງຂອງໄສ້ semiconductor ພາຍໃນຂອງສາຍຕ້ອງຖືກຕັ້ງໄວ້ຂ້າງນອກເພື່ອວ່າພາຍໃນ. ໄສ້ຂອງຕົວເຊື່ອມຕໍ່ໃນທໍ່ເຊື່ອມຕໍ່ສາມາດສື່ສານກັບກັນແລະກັນ. ຮັບປະກັນຄວາມຕໍ່ເນື່ອງຂອງ semiconductor ພາຍໃນ, ດັ່ງນັ້ນຄວາມເຂັ້ມແຂງພາກສະຫນາມຢູ່ຮ່ວມກັນໄດ້ຖືກແຈກຢາຍຢ່າງເທົ່າທຽມກັນ.
2. ການປິ່ນປົວຂອງໄສ້ semiconductor ພາຍນອກ
ໄສ້ semiconductor ຊັ້ນນອກແມ່ນວັດສະດຸເຄິ່ງ conductive ທີ່ເຮັດຫນ້າທີ່ເປັນພາກສະຫນາມໄຟຟ້າທີ່ເປັນເອກະພາບພາຍນອກ insulation ຂອງສາຍແລະສາຍເຄເບີ້ນຮ່ວມກັນ. ເຊັ່ນດຽວກັນກັບໄສ້ semiconductor ພາຍໃນ, ມັນມີບົດບາດສໍາຄັນຫຼາຍໃນສາຍແລະຮ່ວມກັນ. ຜອດ semiconductor ພາຍນອກຕ້ອງມີຄວາມລຽບງ່າຍແລະເປັນເອກະພາບ, ແລະການຫັນປ່ຽນທີ່ລຽບງ່າຍດ້ວຍ insulation ແມ່ນຈໍາເປັນ, ແລະ tape semiconductor ໄດ້ຖືກເພີ່ມໃສ່ສາຍເຄເບີ້ນເພື່ອເຊື່ອມຕໍ່ກັບໄສ້ semiconductor ຢູ່ນອກຮ່າງກາຍຂອງສາຍ.
3. ການ​ປິ່ນ​ປົວ​ຂອງ​ກວຍ​ຜົນ​ບັງ​ຄັບ​ໃຊ້​ຕິ​ກິ​ຣິ​ຍາ​ສາຍ​
ໃນ​ລະ​ຫວ່າງ​ການ​ກໍ່​ສ້າງ​, ໂກນ​ຜົນ​ບັງ​ຄັບ​ໃຊ້​ຕິ​ກິ​ຣິ​ຍາ​ທີ່​ມີ​ຮູບ​ຮ່າງ​ແລະ​ຂະ​ຫນາດ​ທີ່​ແນ່​ນອນ​ມີ​ການ​ແຜ່​ກະ​ຈາຍ​ທີ່​ມີ​ທ່າ​ແຮງ​ດຽວ​ກັນ​ຢູ່​ໃນ​ດ້ານ​ໂກນ​ທັງ​ຫມົດ​. ໃນເວລາທີ່ເຮັດໃຫ້ໂກນຕິກິຣິຍາສາຍຂ້າມເຊື່ອມຕໍ່, ໂດຍທົ່ວໄປແລ້ວເຄື່ອງມືຕັດພິເສດແມ່ນຖືກນໍາໃຊ້, ຫຼືມັນສາມາດໃຫ້ຄວາມຮ້ອນເລັກນ້ອຍດ້ວຍໄຟເລັກນ້ອຍແລະດໍາເນີນການດ້ວຍມີດແຫຼມ. ຫຼັງຈາກການຕັດແລະຮູບຮ່າງພື້ນຖານ, ໃຊ້ແກ້ວຫນາ 2 ມມເພື່ອຂູດ, ແລະສຸດທ້າຍໃຊ້ເຈ້ຍຊາຍຂັດຈາກຫຍາບຫາລະອຽດຈົນກ່ວາກ້ຽງ.
4. ການປ້ອງກັນໂລຫະແລະການປິ່ນປົວດິນ
ພາລະບົດບາດຂອງການປ້ອງກັນໂລຫະໃນສາຍເຄເບີນແລະຕົວເຊື່ອມຕໍ່ຕົ້ນຕໍແມ່ນເຮັດຄວາມຜິດຂອງສາຍເຄເບີ້ນໃນປະຈຸບັນວົງຈອນສັ້ນແລະປ້ອງກັນການແຊກແຊງໄຟຟ້າຈາກພາກສະຫນາມແມ່ເຫຼັກໄຟຟ້າໃນອຸປະກອນການສື່ສານໃກ້ຄຽງ. ໃນການດໍາເນີນງານ, ໄສ້ໂລຫະແມ່ນບໍ່ມີທ່າແຮງພາຍໃຕ້ສະພາບທີ່ມີພື້ນຖານດີ. ເມື່ອສາຍໄຟລົ້ມເຫລວ, , ມັນມີຄວາມສາມາດໃນການດໍາເນີນການກະແສໄຟຟ້າສັ້ນໃນເວລາສັ້ນໆ. ສາຍດິນຄວນຖືກເຊື່ອມໂລຫະທີ່ໝັ້ນໃຈໄດ້, ແລະໄສ້ໂລຫະແລະ tapes ປະຈໍາຕະກູນກ່ຽວກັບສາຍເຄເບີ້ນຂອງປ່ອງຢູ່ໃນທັງສອງສົ້ນຄວນໄດ້ຮັບການເຊື່ອມໂລຫະຢ່າງຫນັກແຫນ້ນ, ແລະການຕໍ່ຫນ້າຂອງຫົວ terminal ຄວນມີຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖື.